ม้ามืด! Huawei จดสิทธิบัตร เทคโนโลยีการผลิตชิประดับ 2nm โดยไม่ต้องใช้เครื่อง EUV

Huawei ถูกจับตามองอีกครั้งหลังมีการเผยแพร่สิทธิบัตรที่บริษัทจดเอาไว้ตั้งแต่ปี 2022 เกี่ยวกับเทคโนโลยีการลผลิตชิประดับ 2nm โดยไม่ต้องอาศัยเครื่อง extreme ultraviolet หรือ EUV ซึ่งถูกสหรัฐฯ ควบคุมอยู่ในชณะนี้

สิทธิบัตรที่ Huawei จดไว้เมื่อปี 2022 อธิบายเทคนิคที่เรียกว่า metal integration ที่ช่วยให้สามารถสร้างโครงสร้างโลหะที่แคบมากในระดับ metal pitch ต่ำกว่า 21 นาโนเมตร และยังอาศัยเทคโนโลยี deep ultraviolet หรือ DUV อยู่ ทำให้สามารถผลิตชิประดับ 2nm ออกมาได้ ซึ่งเทคนิคนี้เป็นรูปแบบหนึ่งของเทคโนโลยี self-aligned quadruple patterning (SAQP) แบบดัดแปลง ร่วมกับเทคนิค spacer-defined patterning และใช้วัสดุ hard-mask สองชนิด ทำให้สามารถวางเส้นโลหะสลับซ้อนกันได้หลายชั้น โดยไม่ต้องใช้ความแม่นยำเหมือนกับ EUV

อย่างไรก็ตาม เทคนิคนี้จะต้องใช้ขั้นตอนที่มากกว่าการใช้เครื่อง EUV แบบปกติ และยังไม่มีความชัดเจนว่าจะสามารถให้ยิลด์ที่ดีพอสำหรับการผลิตเชิงพาณิชย์ได้หรือไม่

สิทธิบัตรดังกล่าวถูกยื่นตั้งแต่เดือนมิถุนายน 2022 และถูกประกาศโดยสำนักงานทรัพย์สินทางปัญญาแห่งชาติจีนเมื่อเดือนมกราคมที่ผ่านมา แม้จะยังไม่มีหลักฐานว่าสิทธิบัตรนี้ถูกนำไปใช้งานจริง แต่เอกสารนี้ก็ชี้ชัดว่า Huawei พยายามหาทางที่จะผลิตชิปขั้นสูงโดยไม่ต้องใช้เครื่อง EUV โดย Huawei ปฏิเสธที่จะแสดงความคิดเห็นใด ๆ เกี่ยวกับข่าวดังกล่าว

นอกจากนี้ Huawei ยังเร่งจดสิทธิบัตรด้านเทคโนโลยีใหม่อย่างต่อเนื่องในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา ในปี 2023 บริษัทได้ยื่นสิทธิบัตรกว่า 20 ฉบับเกี่ยวกับ gate-all-around หรือ GAA ซึ่งเป็นโครงสร้างทรานซิสเตอร์สำคัญสำหรับชิประดับ 2nm รวมถึงสิทธิบัตร complementary field-effect transistor สำหรับเทคโนโลยีที่ต่ำกว่า 1nm

ที่มา SCMP

วัชรกุล พัฒนาประทีป